СТЕНД ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ БИПОЛЯРНЫХ СТРУКТУР. ТЭ-БСматериаловедение, физика, ТЭ-БС, высшая школа, институт, университет, ИССЛЕДОВАНИЯ, БИПОЛЯРНЫХ, СТРУКТУР

Описание:
Состав аппаратной части
Измерительный блок с установленной в него термокамерой и образцами биполярных транзисторов
Функциональные возможности
Стенд позволяет реализовать цикл лабораторных работ:
измерение ВАХ p–n-перехода и сравнение её с идеальной характеристикой,исследование прямой ветви ВАХ различных схем диодного включения транзистора при различных температурах,
измерение обратной ветви ВАХ электронно-дырочного перехода при различных температурах, исследование явлений лавинного и туннельного пробоя,
измерение входных характеристик транзистора при различных напряжениях на коллекторе и различных температурах, исследование семейства выходных характеристик транзистора при различных температурах, передаточные характеристики и характеристики обратной связи биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

Технические характеристики:

  • Количество образцов 4;
  • Диапазон напряжений на переходе -100 .. +2 В;
  • Максимальное напряжене коллектор — эмиттер 10 В;
  • Пределы измерения тока 50; 10; 2; 0,5; 0,1 и 0,02 мА;
  • Основная погрешность измерения ВАХ не более 0,5 ;
  • Абсолютная погрешность измерения температуры не более 1 °С;
  • Максимальная температура нагрева 95 °С;
  • Длительность цикла измерений не более 1,5 с.

* Дополнительное оборудование: ноутбук 15,6″